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大尺寸、低成本、高质量的碳化硅衬底的制备

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登记号：G20180571

所属行业：科学研究和技术服务业

学科分类：化学;有机化学;高分子化学;功能复合材料;复合材料其他学科;

关键词： 半导体 碳化硅 降低损耗

绿色分类：清洁交通;

  • 基本信息
成果名称： 大尺寸、低成本、高质量的碳化硅衬底的制备
成果登记号： G20180571 学科分类： 化学;有机化学;高分子化学;功能复合材料;复合材料其他学科;
绿色分类： 清洁交通; 项目关键词： 半导体  碳化硅  降低损耗    
推荐单位：

同济大学

 成果所处阶段： 初期阶段
合作方式： 成果所属行业： 科学研究和技术服务业
国家/地区： 中国 知识产权：
简介： 点击查看

相对于硅为基体的功率半导体，以碳化硅为基体的功率半导体大大降低了损耗和器件面 积，在电力、铁路、混合动力车（HV）及电动汽车（EV）产业等领域有重要作用。碳化硅衬 底材料的研制是碳化硅功率半导体开发的关键。我们课题组从2009年开始与九鼎建设集团有 限公司合作，已经成功研制出2-3英寸4H-SiC和6H-SiC晶圆片，各项技术指标均已达到商业 标准，同时我们发明了双籽晶物理气相传输技术，使每一炉生长的晶体数量增多，碳化硅晶圆片的单价降低。
姓名： 成果录入人员5 性别： 男
出生日期： 2018-05-16 08:00:00.0 职务：
国籍(地区)： 联系地址：
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