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非易失性功能高分子信息存储材料

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登记号:G20200451

所属行业:教育

学科分类:化学;

关键词: 功能高分子 材料合成 信息存储 非易失性存储

绿色分类:材料节约;

  • 基本信息
成果名称: 非易失性功能高分子信息存储材料
成果登记号: G20200451 学科分类: 化学;
绿色分类: 材料节约; 项目关键词: 功能高分子  材料合成  信息存储  非易失性存储  
推荐单位:

华东理工大学

成果所处阶段: 成熟应用阶段
合作方式: 合资合作, 成果所属行业: 教育
国家/地区: 中国 知识产权: 学术成果
简介: 点击查看

该项目属于材料科学基础研究领域。  随着移动智能终端、物联网、云计算等新信息技术的普及,人们对于从多渠道、多视角获得的海量信息的存储需求不断增加,发展具有超高密度、超大容量、长寿命、低功耗和易于操作等特点并依赖于新材料和新的存储机制的数据存储技术已经成为信息产业发展和数码世界的快速革新的关键。非易失性存储器件是集成电路的重要组成部分,而我国具有自主知识产权的非易失性存储器产业(尤其是高端存储器)几乎为零。2018年4月美国商务部发布对中兴通讯芯片出口禁令,充分反映了我国在芯片这一核心技术领域与美国差距巨大。美国封杀中兴之举,揭示了中国“缺芯”之痛,芯片产业面临的高端产品对外依赖度非常高、人才短缺及产业集中度不高等问题暴露无遗,大力发展“中国芯”迫在眉睫。    有机高分子材料具有结构调控性高、成本低、容易加工性好、可三维堆叠、机械柔韧性好等优势。近年来基于有机/高分子材料的信息存储技术备受青睐,有望为超大规模集成电路的发展、解决信息技术发展过程中面临的冯诺依曼瓶颈和摩尔定律极限问题提供一个新的技术思路。在国家基金委重点基金、国家杰出青年基金和上海市领军人才计划等基金的资助下,我们团队创新设计和制备了一系列新型非易失性高分子信息存储材料和器件,实现了低启动电压,高开关比,低功耗等部分关键性能指标,为开发高性能信息存储器提供了理论依据和材料基础:(1)采用离子输运和补偿掺杂的方式,提高可迁移的载流子的浓度并调节载流子的迁移率,实现了对材料阻态的精准连续调控;利用高分子忆阻器成功实现神经突触功能的模拟; (2)在国际上首次提出利用高分子共价修饰石墨烯制备可擦写式存储材料的新思路;制备了国际上第一个基于石墨烯的共轭高分子存储器件,率先实现了高分子-石墨烯纳米复合信息存储材料的溶液加工; (3) 提出了通过电场控制掺杂质子的迁移或者吸/脱附过程实现稳定电阻转变的新技术,通过电场调节质子酸的迁移和掺杂程度实现了稳定的多态存储,突破了原有材料体系的限制;(4)提出了用“纳米预自组装”方法制备存储器件和有效提高器件稳定性的新思路。纳米聚集态器件的稳定性显著优于非聚集态器件; (5)将偶氮基团的电荷捕捉和分子构象变化效应引入聚乙烯咔唑侧链,构建新型具有给体-势阱-受体的结构单元,获得较优的器件读写性能和稳定性,提出了利用偶氮基团的分子异构特征稳定分子内电荷转移效应的新方法。  项目组从2008年底开始从事有机/高分子信息存储材料研究工作,取得了一系列原创性成果。至2016年底已在Chem. Soc. Rev.(IF: 40.18)、Adv. Mater.( IF21.95)、J. Am. Chem. Soc. (IF14.36)、Adv. Funct. Mater. (IF13.32)、Mater. Horizons (IF13.18)、Chem. Mater. (IF9.89)等国际著名和知名SCI期刊上发表信息存储论文38篇,其中影响因子大于5的论文26篇,被他人引用1738次。选用的8篇代表性论文被引用1145次,他人引用868次,平均每篇被他人引用108.5次,单篇研究论文最高他引次数为320次。项目主要完成人中1人入选国家杰出青年基金(2015),2人入选国家优青(2017),1人获全国优博论文提名(2013),2人入选上海市优博士论文获得者(2012,2014),1人入选上海市浦江学者和晨光学者(2015)。

姓名: 陈彧 性别:
出生日期: 2020-05-27 职务:
国籍(地区): 中国 联系地址: 上海市梅陇路130号
电子邮件: cg@ecust.edu.cn
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