闪烁晶体在核医学成像、核物理探测、空间物理探测、安全检查、地质勘探及工业生产领域具有宽阔的用途。锗酸铋(BGO)是重要的闪烁晶体，被广泛应用于正电子发射断层扫描成像(PET)和高精度电磁量能计。但BGO晶体的缺点在于衰减时间较长，原料GeO₂价格昂贵。BSO晶体与锗酸铋（BGO）晶体结构相同，性能相近。BSO晶体具有比BGO晶体更快的衰减时间，而且原料成本低、机械性能好和化学稳定性高等优点，是一种性能优良的闪烁晶体材料。在国际上率先解决了BSO晶体生长过程存在的组分偏析、亚稳态区生长问题，通过对硅酸铋闪烁晶体的Si和Bi格位的双置换，发光机理研究，掺杂离子筛选和组成优化，析晶行为控制，获得了高光产额、快衰减的BSO闪烁晶体。运用自主知识产权的多坩埚生长技术，实现了大尺寸、高质量BSO晶体的规模化生产，并实现对国外采购商小批量供货。BSO晶体已生长到3英寸。该系列晶体我们拥有3项发明专利。与钨酸铅晶体、BGO晶体等常用闪烁材料相比，BSO晶体成本较低、性能优良，可广泛应用于核医学成像、安全检查等领域，是一种具有自主知识产权的新型闪烁材料，BSO晶体的研发、应用对保持我国在闪烁晶体领域的领先地位具有重要意义。

获2012年浙江省自然科学技术奖二等奖一项。

已获国家授权发明专利2项，申请发明专利3项。

1. 获国家授权发明专利2项：

CN201710112231.5 一种高光输出硅酸铋闪烁晶体及其制备方法；CN201410317866.5 一种制备硅酸铋粉体的方法；

2. 目前申请的发明专利3项：

CN201810018733.6一种本征发光的闪烁晶体钽酸镁及其制备方法和用途；

CN201810019067.8 钽酸镁系列晶体及其制备方法；

CN201810106289.3一种溴硅酸铅晶体及其制备方法；