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自主创新WDM集成解复用光探测器和关键工艺研究

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登记号：G20173848

所属行业：科学研究和技术服务业

学科分类：化学;

关键词： 湿法刻蚀 晶片键合 表面化学处理 光探测器

绿色分类：其他资源效率提升;

  • 基本信息
成果名称： 自主创新WDM集成解复用光探测器和关键工艺研究
成果登记号： G20173848 学科分类： 化学;
绿色分类： 其他资源效率提升; 项目关键词： 湿法刻蚀  晶片键合  表面化学处理  光探测器  
推荐单位：

成果所处阶段：
合作方式： 成果所属行业： 科学研究和技术服务业
国家/地区： 北京 知识产权： 其他
简介： 点击查看
在该项目实施过程中，取得了以下的成果：1、发明了一种新型腐蚀液，并且利用可控自推移动态掩膜湿法刻蚀技术在InP基的外延层上制作成功了倾角可控的各种楔形结构。制备成功的InP基楔形结构的倾角范围为0.5°-49.0°，表面粗糙度小于1.65nm。2、发明了一种可用于GaAs/InP基材料之间低温、高质量晶片键合的简便且无毒性的新型表面化学处理工艺。在低达360℃的温度下实现了GaAs/InP基材料之间的高质量晶片键合，拉断实验的断裂面非键合界面。并且基于这种低温键合技术，将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga<,0.17>As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上。X射线衍射(XRD)和光荧光谱(PL)分析表明量子阱的结构和性能未受键合过程的影响。电流电压特性的测试表明键合界面具有较好的导电特性。3、在以上理论、结构和工艺探索的基础上，实现InP基长波长"一镜斜置三镜腔"器件中，同时获得了高速(在台面面积为40μm×36μm的情况下，3dB高频响应带宽达到12GHz)、高量子效率(66.1%-78.4%)和超窄光谱响应线宽(0.6nm)等特性，并实现了大范围波长调谐(＞10nm)。这种器件还具有低成本和易于耦合封装的特点。共发表论文12篇；申请、获得发明专利6项。
姓名： 黄辉 性别：
出生日期： 职务：
国籍(地区)： 联系地址： 北京市海淀区西土城路10号
电子邮件： huihuang@bupt.edu.cn
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