随着电子电气设备的广泛应用，人们对微波的生物效应问题愈发重视，中枢神经系统是微波辐射敏感的靶器官之一，流行病学调查显示，微波辐射可引起疲劳、头痛、激动、多梦、记忆力下降等症状。因此，寻找微波辐射损伤敏感的预测和监测指标对于微波辐射接触人群的防诊治极其重要。微波辐射参数以及影响的环境复杂多样，微波暴露人群个体敏感性各有差异，微波辐射人群脑结构和功能异常的发生风险及其与机体的遗传因素之间的关系需要关注。NMDA受体是中枢神经系统最重要的兴奋性氨基酸受体之一，在学习记忆过程中发挥非常重要的作用，且其改变参与了微波辐射致学习记忆障碍的过程。因此，研究NMDAR基因是否存在多态性，及其与辐射致脑结构和功能改变是否存在相关性，对于寻找与微波辐射致学习记忆障碍密切相关的敏感预测和监测指标，具有极其重要的现实意义。该研究主要包括NMDA受体启动子区SNP位点发掘，SNPs位点基因分型，SNPs位点与微波辐射致学习记忆障碍的关联分析以及SNPs位点基因功能研究四个方面。该研究对NR1和NR2B启动子区SNP位点进行发掘，在NR2B核心启动子区705bp中首次发现1个SNP位点，为-217位C/T多态，可分为CC、CT、TT3种基因型。-217C/T不同的等位基因所在序列的结合位点不同，C等位含3个Hb、1个HSF和1个C-ETs-转录结合元件，T等位含4个Hb和1个HSF转录结合元件，不同的等位基因所在序列的结合位点是不同的，提示该SNP可能与NR2B的基因转录、翻译、表达和调控以及信号通路的改变密切相关。该位点CC型参与了微波辐射后脑损伤和修复的过程，且以保护作用为主；CT型和TT型主要参与辐射损伤的过程，提示遗传因素可能与微波辐射致脑功能异常的敏感性密切相关。功能研究发现该位点可能位于转录因子结合位点中，该碱基的改变对NR2B的转录和翻译水平均有明显影响，T等位影响更为显著。而且NR2B-217位点的不同基因型在微波辐射所致神经细胞损伤中发挥不同的作用，C等位以保护作用为主，T等位以损伤作用为主。因此该研究中挖掘到的NR2B核心启动子区705bp的SNP位点在NR2B正常功能的发挥以及在微波辐射条件下脑功能异常和神经细胞损伤中均具有重要作用，可作为微波辐射学习记忆障碍的潜在风险评估指标。但该指标的应用尚需大量微波辐射人群样本的验证，仍需进一步深入研究。