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高导热氮化硅陶瓷基片

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登记号：G20210143

所属行业：科学研究和技术服务业

学科分类：化学工程;

关键词： 电动汽车 导热性能 材料力学性能 介电性能均优 第三代半导体

绿色分类：资源利用;

  • 基本信息
成果名称： 高导热氮化硅陶瓷基片
成果登记号： G20210143 学科分类： 化学工程;
绿色分类： 资源利用; 项目关键词： 电动汽车  导热性能  材料力学性能  介电性能均优  第三代半导体
推荐单位：

中国科学院上海硅酸盐研究所

 成果所处阶段： 中期阶段
合作方式： 面洽, 成果所属行业： 科学研究和技术服务业
国家/地区： 中国 知识产权： 发明专利,其他
简介： 点击查看

应用领域：

电动汽车、轨道交通、智能电网、风力发电、航空航天、工业机器人、数控机床、新能源装备、不间断电源（UPS）等。在射频器件、HTCC、通讯基站等也有应用。第三代半导体关键基板材料

技术特点：

材料力学性能、导热性能、介电性能均优

性能指标：

①　热导率：≥90W/m×K；

②　抗弯强度：≥700MPa；

③　断裂韧性：≥8MPa×m1/2；

④　室温电阻率：≥1013-1014Ω×cm；

⑤　样品尺寸：90mm´90mm；

当前状态：

小试阶段
姓名： 左秀婷 性别：
出生日期： 2020-05-27 08:00:00.0 职务：
国籍(地区)： 中国 联系地址： 上海市徐汇区中山西路1525号技贸大厦802室
电子邮件： zuoxt@sstec.org.cn
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