本项目系超大规模集成电路制造技术工艺领域的重要核心技术和工艺之一。本项目开始于2008年，当时半导体业界最先进的嵌入式闪存技术仅在0.25微米到0.18微米节点之间，产品集中于传统的标准式闪存(叠栅结构)，国内尚不具备0.18及以下深亚微米闪存的生产能力，导致智能卡芯片进口价格很高，例如当时一张SIM卡的芯片成本需几十元。为打破该技术长期被国外所垄断的局面，国家有关部委在"极大规模集成电路制造装备及成套工艺"国家科技重大专项中专门为0.13微米嵌入式自对准分栅闪存技术立项，进行工艺开发和产业化。 本项目是首个通过 "极大规模集成电路制造装备及成套工艺" 国家科技重大专项验收的项目，在器件结构、器件工艺、电路设计、产品测试等方面实现了全方位创新，共获53件专利授权。 1、创新点一：在器件结构方面，开发了多代业界先进的自对准分栅闪存结构新器件。 2、创新点二：在器件工艺方面，开发了多代高兼容性的嵌入式制造工艺，特别是闪存模块兼容的嵌入式工艺及带有射频模块的嵌入式工艺。同时通过对工艺优化，减少了光刻层数，降低了制造成本。 3、创新点三：在电路及产品设计方面，开发了高性能低成本IP模块，使用该IP的SIM产品达到当年世界先进水平，成为当年世界上面积最小的SIM卡芯片。 4、创新点四：开发出先进的设计测试方法和晶圆硅片测试平台。 5、创新点五：实现了产品的高可靠性，本公司的0.13微米的嵌入式闪存均可保证100K 的可擦写次数，数据保持可达100年，达到国际汽车电子AEC-Q100 标准，满足了汽车电子级芯片的高可靠性要求。 本项目于2010年底完成并进入大规模量产，良率超过95%。项目开始至今公司因此新增产值约16亿元。其中，2011-2013年间，新增产值近14亿元，实现利润约2.7亿元。产品品种已达30个并不断增加，主要销往欧洲、北美，日本，印度及中国市场，主要应用于SIM卡、U盾、触控屏控制、微处理器、移动支付和智能电网等，SIM卡2013年市场占有率为34%，预计2014将达49%。该项目的完成，打破了国外芯片制造巨头在智能卡芯片和微处理器芯片等领域的垄断，智能卡累计出货超10亿颗，目前一颗SIM卡芯片已不足0.3元，避免了采用进口芯片的高成本。一系列芯片的国产化，给国家节省了千亿元以上外汇。目前本公司已成为世界第一大智能卡供应商 Gemalto（金雅拓）的主要芯片供货商。